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集微网消息，近期，中科院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，相关工作发表在Advanced Materials与Advanced Functional Materials上。

据悉，由于缺乏成熟的理论框架，二维材料辅助的氮化物外延中的一些基本问题，如无悬挂键表面的成核机制与晶格调控起源，仍不明确，这阻碍了其进一步发展。针对这一问题，研究团队就多种氮化物/二维材料/衬底处的界面配置展开了研究，预测了不同种类衬底上二维材料辅助氮化物外延生长的行为，并给出了相应的调控机制与生长前沿构筑方案。

研究团队就二维材料覆盖的非晶衬底上的氮化物外延生长展开研究，以探索不同二维材料对氮化物生长的调控作用。DFT计算结果表明，排除衬底晶格影响后，氮化物/二维材料界面由范德华相互作用调控，且选取晶格匹配的二维材料缓冲层对实现单晶氮化物范德华外延生长至关重要。

研究团队在石墨烯覆盖的非晶玻璃上进行了氮化物生长，结果表明其为多晶，且晶体取向与界面配置均与理论计算结果相吻合。研究团队在WS2覆盖的非晶玻璃上获得单晶氮化物外延层，证实氮化物范德华外延的可行性，并为其提供普适的生长界面构筑准则。

该生长方法同样适用于近年来新兴的柔性材料和器件领域，在可穿戴及可折叠显示器、太阳能电池、传感器和生物医学设备等方面具有广阔的应用前景， 实现III族氮化物大面积剥离转印技术和柔性氮化物制备是该领域的核心技术瓶颈。

中科院半导体所消息显示，上述工作得到国家自然科学基金委、科技部国家重点研发计划资助项目、中科院半导体所青年人才项目的经费支持。（校对/姜羽桐）

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